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凈化工程中溫濕度的決定性條件是什么

來源:http://www.mywebmantra.com/news112952.html  更新時間:2019-8-6 19:58:00

凈化工程中溫濕度的決定性條件是什么

凈化工程的具體過程有不同的溫度要求,但作為一般原則隨著加工精度越來越精細,對溫度波動范圍的要求越來越小。

例如,在用于大規模集成電路生產的光刻曝光工藝中,要求玻璃和作為掩模材料的硅晶片之間的熱膨脹系數的差異越來越小。直徑為100微米溫度上升1度的硅片導致0.24微米的線性膨脹,因此它必須具有0.1度的恒定溫度,并且濕度值通常較低,因為在人出汗之后 ,該產品將受到污染,尤其是一個害怕鈉的半導體車間,該凈化項目不應超過25度。

凈化項目中的過度濕度會產生更多問題。當相對濕度超過55%時,冷卻水管壁上會形成冷凝水。如果它發生在精密設備或電路中,將導致各種事故。

相對濕度為50%時容易生銹。另外,當濕度太高時附著在硅晶片表面上的灰塵被空氣中的水分子化學吸附在表面上難以除去。

相對濕度越高去除越困難,但當相對濕度低于30%時,由于靜電力,顆粒也容易吸附到表面,并且大量半導體器件易于擊穿晶片生產的優選溫度范圍是35-45%。

此外,相對濕度有許多因素可能會降低凈化項目的整體性能,包括:細菌生長房間在室溫下感覺舒適的范圍內的靜電荷,金屬腐蝕水蒸氣凝結降解光刻等。


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